デザインエンジニア（NAND型フラッシュメモリの回路設計）
■職務概要：
世界最高レベルの技術を有するサンディスクと東芝との共同開発プロジェクトにおいて、回路設計業務に携わって頂きます。当該ポジションでは、様々な3Dメモリ、NANDフラッシュメモリ?プロジェクトにおいて、次世代アーキテクチュア開発、回路設計及び検証、Si評価、等を担当していただきます。今回募集のポジションは、Senior Design Engineer と Design Engineer II です。
■特徴：
?サンディスクでは、最先端56nmでの量産を実現し、2009年には32nm世代、さらにその先の技術も研究が進んでいます。微細化に比例して設計の難易度も高くなるため、微細化技術のフロンティアで開発力を磨くことができます。
?開発計画から最終製品まで全ての工程を自社で行えるため、最終製品を見越した製品開発?製造開発を行うことが出来ます。その最終製品であるフラッシュメモリーカードは、マーケットシェアNo.1を誇っています。
?エンジニア職の方に対しては専門職制度も導入しており、マネジメントの分野へシフトチェンジするだけでなく、エンジニアとして真のスペシャリストを目指すといった日系メーカーにはない幅広いキャリアパスがあります。
■語学について：
電話?TV会議やE-mail、海外出張、等において、英語を使用する機会があります。基礎英語力 (読み書き）があり、簡単な英会話が可能な方が望まれますが、前職?現職での使用経験がなくても学習意欲がある方であれば、大丈夫です。
必要業務経験 【必要業務経験】
■必須条件： LSI設計（ディジタル、アナログ、メモリ）におけるフロントエンドの豊かな経験者 （経験目安：3年以上）
■歓迎条件： RTL設計経験者、不揮発性メモリ又はDRAM設計経験者
※日本での就労が可能で、日本語又は英語でのコミュニケーションに問題がない方であれば、国籍不問です。
職務環境
勤務地1 事業所名 大船研究所
最寄路線 JR線
最寄り駅 大船駅
住所 神奈川県横浜市栄区笠間 2-5-1
勤務地2 事業所名
最寄路線
最寄り駅
住所
勤務地3 事業所名
最寄路線
最寄り駅
住所
就業時間 8時 30分～17時 15分
フレックス 有無 有り
勤務地コメント 勤務地は、東芝マイクロエレクトロニクスセンター内にあります。
想定勤務地 神奈川県
雇用形態 正社員
2010-03-11 14:03:55